结型场效应管(JFET)

   场效应管与三极管一样具有放大能力,三极管是电流控制型元器件,而场效应管是电压控制型器件。 MC56F8122VFAE场效应管主要有结型场效应管和绝缘栅型场应管,它们除了可参与构成放大电路外,还可当作电子开关使用。IGBT又称绝缘栅型双极型场效应管,它可以看成是由三极管与绝缘栅型场应管组合而成,它综合了这两种元器件的优点,广泛应用在各种中小功率的电力电子设各中。

   结型场效应管外形与符号如图11△4所示。

   P沟逍结型场效应管N沟逍结型场效应管

    (a)实物外形 (b)结型场效管的电路符号

    图11-14 场效应管

    结构工作原理

    与三极管一样,结型场效应管也是由P型半导体和N型半导体组成,三极管有PNP型和NPN型两种,场效应管则分P沟道和N沟道两种。两种沟道的结型场效应管的结构如图11△5所示。

   (a)N沟道(b)P沟道     (c)D、s极之间加有电压

   图11-15 结型场效应管结构说明图

   图11-15(a)为N沟道结型场效应管的结构图。从图中可以看出,场效应管内部有两块P型半导体,它们通过导线内部相连,再引出一个电极,该电极称栅极G,两块P型半导体以外的部分均为N型半导体,在P型半导体与N型半导体交界处形成两个耗尽层(即PN结),耗尽层中间区域为沟道,由于沟道由N型半导体构成,所以称为N沟道,漏极D与源极s

分别接在沟道两端。

   图11-15(b)为P沟道结型场效应管的结构图,P沟道场效应管内部有两块N型半导体,栅极G与它们连接,两块N型半导体与邻近的P型半导体在交界处形成两个耗尽层,耗尽层中间区域为P沟道。