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共模扼流圈Lc由两个绕在同一个高磁导率磁芯上的绕组构成

发布时间:2019/2/7 21:44:27 访问次数:546

   共模扼流圈Lc由两个绕在同一个高磁导率磁芯上的绕组构成,它们的结构使差模电流产生的磁场相互抵消,但对共模电流则呈现大的感抗值, KDZTR36B故可取得良好的滤波效果。这种结构可以以较小体积获得较大的电感值,并且不用担心由于工作电流导致饱和。Lc的电感量一般为1~⒛0mH之间,典型使用范围为10~100mH之间。每个绕组的电感可以衰减相对于地的共模干扰电流,但只有漏电感才能衰减差模干扰电流。滤波器差模特性在很大程度上受线圈的结构影响,因为线圈的结构决定了漏电感。较大的漏电感能够提供较大的差模衰减,但付出的代价是磁芯的饱和电流降低。

   差模电容器Cd、C趁、C诏只衰减差模干扰电流,它们的电容值可以较大。注意 源和负载的阻抗可能很低,以致于该电容器起不到作用。因此根据具体情况,可以 省略一只电容器。例如,一只0.1uF的电容器在150kHz的频率下,阻抗为10Ω。 而对于一个数百瓦的电源,从Cc看到的差模源阻抗可能远低于这个值,因此在最

需要这个电容滤波的低频段,这个C妇的电容值几乎没有效果,这时Cx3可取消。 在许多场合,典型结构的滤波器不能提供满意的衰减效果。例如,必须满足最 严格发射限制的大功率开关电源,或有较大的共模干扰耦合的场合,以及需要较高 的输人瞬态抗扰度的场合。基本滤波器可以通过一些方式来扩展其功能。

   附加的差模扼流圈Ld、L浊,是在L和N线上独立的线圈,它们之间互相没有 影响,因此对差模信号呈现更高的阻抗,它们与Cx配合在一起可提供更大的衰减。 由于要保证它们在满额工作电流的情况下不发生磁饱和,对于一定的电感共模电容器Cu和C、衰减共模干扰,当C诏很大时,这两个电容器对差模干扰没有太大的影响。Cy电容器的有效性在很大程度上由设备的共模源阻抗决定。共模源阻抗一般是耦合到地的寄生电容的函数,它由电路的结构方式和电源变压器一、二次侧间的分布电容等决定,一般会超过1000pF。由Cy的分流作用提供的共模衰减一般不会超过⒛dB。

   共模扼流圈是更为有效的共模抑制器件,当Cy受到严格限制时,可能需要一个以上的共模扼流圈组合(如图8-6所示的Ld、Lc2)。

   共模扼流圈Lc由两个绕在同一个高磁导率磁芯上的绕组构成,它们的结构使差模电流产生的磁场相互抵消,但对共模电流则呈现大的感抗值, KDZTR36B故可取得良好的滤波效果。这种结构可以以较小体积获得较大的电感值,并且不用担心由于工作电流导致饱和。Lc的电感量一般为1~⒛0mH之间,典型使用范围为10~100mH之间。每个绕组的电感可以衰减相对于地的共模干扰电流,但只有漏电感才能衰减差模干扰电流。滤波器差模特性在很大程度上受线圈的结构影响,因为线圈的结构决定了漏电感。较大的漏电感能够提供较大的差模衰减,但付出的代价是磁芯的饱和电流降低。

   差模电容器Cd、C趁、C诏只衰减差模干扰电流,它们的电容值可以较大。注意 源和负载的阻抗可能很低,以致于该电容器起不到作用。因此根据具体情况,可以 省略一只电容器。例如,一只0.1uF的电容器在150kHz的频率下,阻抗为10Ω。 而对于一个数百瓦的电源,从Cc看到的差模源阻抗可能远低于这个值,因此在最

需要这个电容滤波的低频段,这个C妇的电容值几乎没有效果,这时Cx3可取消。 在许多场合,典型结构的滤波器不能提供满意的衰减效果。例如,必须满足最 严格发射限制的大功率开关电源,或有较大的共模干扰耦合的场合,以及需要较高 的输人瞬态抗扰度的场合。基本滤波器可以通过一些方式来扩展其功能。

   附加的差模扼流圈Ld、L浊,是在L和N线上独立的线圈,它们之间互相没有 影响,因此对差模信号呈现更高的阻抗,它们与Cx配合在一起可提供更大的衰减。 由于要保证它们在满额工作电流的情况下不发生磁饱和,对于一定的电感共模电容器Cu和C、衰减共模干扰,当C诏很大时,这两个电容器对差模干扰没有太大的影响。Cy电容器的有效性在很大程度上由设备的共模源阻抗决定。共模源阻抗一般是耦合到地的寄生电容的函数,它由电路的结构方式和电源变压器一、二次侧间的分布电容等决定,一般会超过1000pF。由Cy的分流作用提供的共模衰减一般不会超过⒛dB。

   共模扼流圈是更为有效的共模抑制器件,当Cy受到严格限制时,可能需要一个以上的共模扼流圈组合(如图8-6所示的Ld、Lc2)。

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