是一个用来限定结和深源/漏结宽度的自对准技术。它的宽度、高度和物理特性,HCF40106BE成为等比例缩小CM(E技术的关键。为了缓解结等比例缩小势,并不以结电阻为代价来减小重叠电容,在栅的侧壁形成了偏移间隔,从90nm CM(EI艺节点以后,它已经得到广泛的应用。需要谨慎地平衡偏移间隔和源/漏扩展,以避免源到漏的重叠不够造成的驱动电流损失或者明显的短沟效应。为了在采川偏移问隔CM()SI艺屮得到可以接受的重复性和参数离散.偏移问隔宽度的均匀性必须控制在至少小于1nm。更宽的侧墙可以减少短沟效应,降低侧墙下面的寄生源/漏电阻,并月~更能耐受造成二极管漏电流加大的NiSi的横向过生长,或者接触刻蚀钉子效应,但它限制F侧埔宽度的缩小,并且对硅化物的形成和层间介质间隙的填充提出丁挑战。除此之外,在不同图形尺寸和密度的情况下,侧墙材料沉积多道离子注人工艺采用了不同的侧墙结构以调整晶体管的源漏结.使其具有最大的驱动电流,同时保持低的晶体管寄生电容。偏移间隔通常是由氮化硅或者氧化物组成的。

   . O―N模式,或者O-N-O模式被用来形成侧墙:()N模式由于简单・可以缩小结构而得到更多的关注。不仅介质刻蚀机,而且导体刻蚀机都可以进行侧墙刻蚀。相应的刻蚀气体,至少包括C1F:/CH3F/CH2F?/CH中的两个。要减少腔室记忆效应,得到更好的均匀性控制,清洁模式刻蚀机进行侧墙刻蚀是首选。偏移问隔的刻蚀的影响可由环型振荡器监控,这个因素与栅漏交叠电容(CGI)0)密切相关,环振损失减小F晶体管的速度,降低了晶圆良率。显示的是栅漏交叠电容移动与偏移问隔宽度之间的密切关系,显示出1nm偏移间隔的变化,可以寻致NM()S的几训大约5%的移动。冈此,对偏移间隔均匀性良好的控制以及它的形状偏差的减小可以降低栅漏交叠电容的变化范围,从而增加良率。环振损失的结果指出,在I'am23O0versys kiyo刻蚀机~L,以较低的刻蚀速率.改善偏移问隔的宽度均匀性(3σ为0,7nm),就可以明显地降低环振损失,相应的晶圆良率提高了4O%。这可以归为更好的偏移间隔均匀性和更小的形状偏差的协同效果,这两个因素会影响到注人离子在多晶硅栅内部扩散的分布。在图8.22(b)中的环振的累积分布函数曲线,显示低刻蚀速率偏移刻蚀可以得到更接近日标的特性。图8.23的通用曲线和y`rol卜off曲线显示出用Lam2300versys kiy°的低刻蚀速率来刻蚀NM()s,其结果优于采用常规介质刻蚀机的高速率刻蚀,而在PMs的刻蚀中没有发现差异,这是囚为快速的硼扩散使得PMOs对偏移问隔均匀性和形状的偏差不敏感。