应器的几何尺寸比(半径/高度)。通常相对于线圈中间,沉积功率会在偏离轴心的位置产生最大值。HAT2189WP-EL-E然而,离子的峰值在轴心~上,并迅速衰减。偏离轴心的最大值都小于预期的这些数值的最高值。电子温度的分布通常遵循沉积功率的分布,它从石英窗下的最大值迅速地下降,在等离子体外到达更低的Te。除了设计为单圈线圈在石英窗口下电子温度峰值的环形变窄以外,单圈线圈和钟形线圈的电子温度与平面三圈线圈的是相类似的。钟形线圈的OJ的密度分布与三圈线圈是相类似的,而单圈线圈下降了10%。采用钟形线圈设计的OJ密度峰值更接近晶圆表面。

   Zhang(⒛02年)「nJ应用神经网络就四个操控输人与基于2D MPRES试验设计的压缩 了的⒈D刻蚀速率之间的关系进行了验证。图8.9显示的是前两个的“得分”,它们是从小 波压缩变化及ICP功率与流速的函数得来的,腔内压力定为15mT。rr,RF偏置幅度为 500V。第一个得分表示最低水平的近似刻蚀速率分布变化,它反映的是刻蚀速率分布的最 低频率。第二个得分捕获到最低水平下刻蚀速率分布的细节,它们都显示出非线性。对于 固定的ICP功率,当流速变化时,可以注意到第一个得分的单调变化。第二个得分也有类 似的趋势,指出刻蚀速率随气体流速上升而减少。这可以解释为随着流速的增加,离子与中 性粒子间的碰撞增强了,并且离子在穿越鞘时损失了能量。罔定流速,ICP功率对于两个得 分都形成了山形响应面。这可以解释成ICP功率和RF偏置的协同效应,见公式(83)c当 RF偏置减小,“山”也将减小,囚为在低RF偏置、高ICP功率时,刻蚀速率被限制在离子反 应区。

   空问信息的直接模型验证不可避免地导致高维输出,从而降低了计算效率和模型精度。一个有希望实现空间变量建模的解决方案是寻找一个尽可能代表高维空间的低维子空问。也就是将少数压缩了的变量,用来代表沿晶圆半径(2D)或者整个晶圆(3D)分布的大量原始参数,然后将少数压缩变量与各种输入,比如压力、ICP功率、RF偏置和气体流速相关联。在现有的减少维度的方法中,PCA和小波压缩被证明为⒈D/2D数据压缩和信息提取技术,2D数据/图像压缩技术对于不均匀功率沉积的非对称刻蚀速率抽气口、进气口的模拟是至关重要的。