为它能够更好地照顾到各种图形的丁艺窗口。由于成像需要至少两束光的干涉, JA3515-OS-A04环形照明中对成像有贡献的部分仅仅是环形的一部分,剩余部分的衍射光由于没有能够进人光瞳,所以只能够在硅片上起到均匀照明,即形成背景曝光。这种背景曝光如果太大,比如当空间周期变得太接近0.5^/NA,会使对比度变得太小。

   环形照明在光瞳上的分布函数对成像起作用的部分,为了避免插图显得复杂,这里只画出了右半部分,左半部分的衍射有效部分同右半部分对称。环形照明在光瞳上的分布函数对成像起作用的部分随空间周期逼近分辨率极限而变、空问像对比度也因此变小。图较大空间周期的衍射谱和空间像;帘问周期在分辨率极限附近(接近0,5^/NA)的衍射谱和空间像;为了避免插图显得复杂,这里只画出了右半部分,左半部分的衍射有效部分同右半部分对称。掩膜版是通过透光和不透光来将电路板设计图案表达出来的。不过,由于衍射效应,本来不透光的区域,在硅片的像中光强也不等于零。在1982年,莱文森(I'cvcnson)和他的合作者提出使用位相区域来减少本来是不透光的区域的光强「Ⅱ]。相移掩膜版的原理是通过将部分透射光的位相相对其他透射光的移动180°来抵消由于衍射造成的对比度下降效应。当前T业界使用最多的是透射衰减的相移掩膜版(Attcnuated Phase Shifting Mask,AttPSM),它可以显著改善密集线条的工艺窗口。当然,还有交替相移掩膜版(AlternatingPhase Shifting Mask,Alt PSM)(见图7.91),叉叫做莱文森(I'evenson)相移掩膜版、边缘相移掩膜版(rim phase shifting mask)(见图7.92)、无铬相移掩膜版(chr°me less phaseshifting mask)等类型,其原理都是类似的。