去掉,并进行第二次RTA(740℃)。因此,有源区和多晶硅栅区域会以自对准的方式钴的硅化物,这被称为自对准多晶硅化物工艺E"]

然后,通过沉积氮氧硅(150A)和磷硅玻璃(PSG,5,5kA)形成多金属介质(PMD),并使用CMP进行平坦化。 A3967SLBTR-T沉积一层CVD氧化物(Teos o蛀de)用来密封PSG。然后形成打开接触孔的掩模(掩模CT),随后刻蚀接触孔上的PSG和⒏N。接下来溅射Ti(150A)和TiN(50A),用CVD法沉积钨(W,3kA)并用RTA(700℃)进行退火。△层对于减小接触电阻

十分重要,侧壁上覆盖的TiN用以保证W填充工艺的完整性[12],使得填充到接触孔中的W没有空隙。对钨表面进行抛光(使用CMP)直到露出Teos°xid表面,此时接触孔内的钨塞就形成了。

   金属△的形成(单镶嵌)

   这之后沉积金属间介质层(IMD),例如⒊CN(300A)含碳低乃PECVD氧化硅(2kA)和Te°s°妊dc(250A),并进行图形化(使用掩模meta⒈1)和氧化物刻蚀。IMD1层主要是为了良好的密封和覆盖更加多孔的低乃介质。然后沉积Ta/TaN和铜种子层,随后填充铜(通过ECP法)并用CMP进行平坦化。金属1互连就形成了。