将两个P型半导体和一个N型半导体按图⒎2(a)所示的方式结合在一起, MA+6431MRUS+T两个P型半导体中的正电荷会向中间的N型半导体中移动,N型半导体中的负电荷会向两个P型半导体移动,结果在P、N型半导体的交界处形成PN结,如图⒎2(b)所示。

   在两个P型半导体和一个N型半导体上通过连接导体各引出一个电极,然后封装起来就构成了三极管。三极管三个电极分别称为集电极(用c或C表示)、基极(用b或B表示)和发射极(用e或E表示)。PNP型三极管的电路符号如图⒎2(c)所示。

   三极管内部有两个PN结,其中基极和发射极之间的PN结称为发射结,基极与集电极之间的PN结称为集电结。两个PN结将三极管内郜分作三个区,与发射极相连的区称为发射区,与基极相连的区称为基区,与集电极相连的区称为集电区。发射区的半导体掺入杂质多,故有大量的电荷,便于发射电荷;集电区掺入的杂质少且面积大,便于收集发射区送来的电荷;基区处于两者之间,发射区流向集电区的电荷要经过基区,故基区可控制发射区流向集电区电荷的数量,基区就像设在发射区与集电区之间的关卡。

   NPN型三极管的构成与PNP型三极管类似,它是由两个N型半导体和一个P型半导体构成的。具体如图⒎3所示。 N型半导体  N型半导体(c)形成前 (b)形成后

   图⒎3 NPN型三极管的构成