查看El接口芯片的技术资料,接口芯片Dm154抗静电能力为±1kⅤ,而Dm1554抗静电能力为±2kⅤ⊙将产品接口芯片Dm154更换成Dm15~szI,再进行±6kⅤ ESD测试,不再出现通信断链和死机现象。 HCF40106M013TR

   接口芯片更换DS21554后进行EFVB测试,测试电压为+1kⅤ时,也不再出现通信断链和死机现象、但在-lk、时仍会断链。对E1通信接口板的CPU软件进行吏改,增加El口的容锆能力,即将El信号误码率阈值加大1佶,软件更改听进行电压为±1.5k、ˉ的E冂/B测试,此时E信号不会出现断链现象:

   【思考与启示】

   (1)器件本身的EMC性能对系统的EMC性能有很大影响,进行前期EMC设计时要注意选择抗干扰能力强的器件;器件选择时一定要考虑器件本身的EMC特性,特别是抗ESD性能(ESD性能在器件手册中也较容易查到)。

   (2)软件与产品的EMC性能也有密切关系,产品软件要设置一定的容错能力。