位置:51电子网 » 技术资料 » 单 片 机

保护器件能够耐受的浪涌等级升高

发布时间:2019/1/8 21:31:29 访问次数:622

   从表⒋11可知,随着并联电容值的降低,保护器件能够耐受的浪涌等级升高。当并联GC21440AD的电容值不大于5nF时,保护器件可以通过最大浪涌测试等级的测试,即6kⅤ/150A浪涌试。

   实验二:增加限流器件,如PTC、电阻、导线,限制电容放电电流大小。测试结果见表4-12。

   图4.123为在保护器件(TSS)并联电容值为们llF的条件下,浪涌测试电压为1kⅤ时,测得电流峰值为⒛7A。串联PTC后同一个位置测得的电流峰值为70A,如图4.124所示。从两张波形图可以看出,峰值电压基本相同(相差4Ⅴ,对于电路来说,基本没变化)。

   由此可见,增加限流器件后能有效解决本案例所述的问题c

   图4.123 TSs并联0O nF电容残压及电流

    

   【总结与启示】

   浪涌测试时,并联的电容会在保护器件

   图4124 tss支路增加PTC残压及电流

   (TSS)击穿导通前先充电储能,在保护器件

   表⒋12 增加不同限流器件的测试结果

    


   从表⒋11可知,随着并联电容值的降低,保护器件能够耐受的浪涌等级升高。当并联GC21440AD的电容值不大于5nF时,保护器件可以通过最大浪涌测试等级的测试,即6kⅤ/150A浪涌试。

   实验二:增加限流器件,如PTC、电阻、导线,限制电容放电电流大小。测试结果见表4-12。

   图4.123为在保护器件(TSS)并联电容值为们llF的条件下,浪涌测试电压为1kⅤ时,测得电流峰值为⒛7A。串联PTC后同一个位置测得的电流峰值为70A,如图4.124所示。从两张波形图可以看出,峰值电压基本相同(相差4Ⅴ,对于电路来说,基本没变化)。

   由此可见,增加限流器件后能有效解决本案例所述的问题c

   图4.123 TSs并联0O nF电容残压及电流

    

   【总结与启示】

   浪涌测试时,并联的电容会在保护器件

   图4124 tss支路增加PTC残压及电流

   (TSS)击穿导通前先充电储能,在保护器件

   表⒋12 增加不同限流器件的测试结果

    


相关IC型号
GC21440AD
暂无最新型号

热门点击

 

推荐技术资料

硬盘式MP3播放器终级改
    一次偶然的机会我结识了NE0 2511,那是一个远方的... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!