能隙这一词通常比较容易造成混淆,类似的概念包括光隙、光学能隙、电子能隙等,图2,18给出了示意图。所谓的光隙Optical gap)指的是第一允许光学跃迁,通常为有很大振动强度的1Bu态,一般指由基态到第一单线态的跃迁。如果没有外加电场或者热运动的辅助,这种跃迁不会产生本征的载流子;光学能隙roptical band gap)指的是分子无需热运动等辅助手段由基态电子产生IUMO态电子所需要的光能,它与分子从基态到第一激发态所需的激发能(即光隙)的不同之处在于:前者产生的LLrMo电子与基态空穴没有束缚关系,而后者产生的第一激发态电子与基态的空穴有很强的库仑力相互作用(束缚能)。K1010B光学能隙满足方程式:凡=lEI/-P)-rfP+θ=LUMo(s)-HOMo(s),其中P是空穴和电子的晶体极化能。电子能隙lelectrical band gap)指的是在晶格声子的辅助下,产生本征电荷所需的最小能量σg)。这里的本征电荷是由基态到第一激发态的跃迁而产生的相互关联电子空穴对后,再进一步克服相互之间的束缚能所产生的自由电荷。在分子晶体体系中,电子能隙与光学能隙是不同的,因为在电子能隙中包含了 电荷的离域能:Eg=LUMO(s)-HOMo域能和电子离域能。

   如上所述,在材料吸收光谱中的长波方向,开始对光(o表现出吸收的波长位置处的能量σ=120O/助应该是材料的光隙,通常我们也将该值泛指材料的能隙。利用能隙宽度和电子可获得性,可以确定固体材料的导电特性。一般地,半导体的能隙小于3eV,其能隙之上能带中电子密度(或能隙之下能带中空穴密度)一般小于1020/cm3。在金属中,能隙之上的能带中填充有许多电子,其浓度为1023/om3数量级。另外,绝缘体具有很宽的能隙,通常大于3eⅤ,而在能隙之上能带中电子浓度以及其下方能带中空穴浓度是可以忽略的。