东芝的MOSFET采用STP封装，功耗更低
发布时间:2007/8/30 0:00:00 访问次数:481
东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components)的TPCT4201和TPCT4202功率MOSFET采用STP(Smart Thin Package)封装形式，此乃业界最薄的表面贴装型封装形式。采用这种封装，可提供每mΩ导通电阻下最小的表面贴装面积及较高的驱动功率。上述两款功率MOSFET的封装尺寸约为采用TSSOP-8封装的三分之一，高度仅0.6mm，接线端子无铅(其它部分含铅量可能高于0.1%)。
12-V双N沟道TPCT4201和TPCT4202器件适用于锂电池应用，TPCT4201的Vgs为4.5伏、源极到源极电压为20伏时，导通电阻为25.5mΩ，TPCT4202的源极到源极电压为30伏时，导通电阻为30.5mΩ。以上两种产品的最大耗散功率为1.7W，直流漏极电流为6A，脉冲漏极电流为24A，泄露电流为10μA，内置稳压二极管，具有ESD防护功能。
东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components)的TPCT4201和TPCT4202功率MOSFET采用STP(Smart Thin Package)封装形式，此乃业界最薄的表面贴装型封装形式。采用这种封装，可提供每mΩ导通电阻下最小的表面贴装面积及较高的驱动功率。上述两款功率MOSFET的封装尺寸约为采用TSSOP-8封装的三分之一，高度仅0.6mm，接线端子无铅(其它部分含铅量可能高于0.1%)。
12-V双N沟道TPCT4201和TPCT4202器件适用于锂电池应用，TPCT4201的Vgs为4.5伏、源极到源极电压为20伏时，导通电阻为25.5mΩ，TPCT4202的源极到源极电压为30伏时，导通电阻为30.5mΩ。以上两种产品的最大耗散功率为1.7W，直流漏极电流为6A，脉冲漏极电流为24A，泄露电流为10μA，内置稳压二极管，具有ESD防护功能。
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