顾名思义,外延(Epitaxy)技术是指在具有一定结晶取向的原有晶体(一般称为衬底)上向“外”延伸出并按一定晶体学方向生长薄膜的方法,RA06H8285M这个延续生长出的晶体层被称为外延层。在晶格匹配的衬底上,利用金属有机物为源材料进行的化学气相外延生长,根据其英文全称Mctal-Organicˇ即or Phasc Epitaxy,一般简化为MOVPE。基于外延原始意义,它也涵盖材料生长中在己有材料(或衬底)上的覆盖生长(Ncrgrowth)成膜现象。

   不论是氮化物系列的蓝绿光LED,还是AlGaInP系列的红黄光LED,目前其大规模生产制造工艺主要采用MOCVD设备与技术,其中文名称是“金属有机物化学气相沉积”,顾名思义,就是利用金属有机物为源材料进行的化学气相沉积技术。用MOCVD进行LED材料外延的的基本生长原理是:氢气或惰性气体(氮气、或氩气)作为载气把含有Ⅲ族元素的金属有机物(Mo)源和含有V族元素的非金属氢化物(NH3,AsH3,或PH3)携带到 反应室中的加热衬底上方,在气相和气固界面发生一系列化学和物理变化,最终在衬底上形成外延层。

   以生长蓝绿光LED结构中最基本最核心的氮化镓(⒍Ⅸ)为例,载气(氢气、氮气、或氩气)通过容有三甲基镓[GH3)3Ga,简写为TMGa]的鼓泡源瓶,携带其蒸气进入反应室;Ga金属源蒸气与进入反应室的NH3在加热到约110O℃的衬底表面(如蓝宝石),发生如下反应: