电子束光刻无须使用产生图形的掩模版或放大掩模版。因为不用掩模版，PA1A-24V一些由掩模版或放大掩模版曝光引起的缺陷和错误源被去除r。电子束开关和导向由计算机来控制，计算机中存有直接来自计算机辅助设计( CAD)设计阶段的晶圆图形。电子束被偏转系统导向到需要曝光的位置上，并将电子束打开，使相应的部位光刻胶曝光．，更大面积的衬底被固定在x-y载台上，载台连同衬底在电子束下移动直到全部曝光完毕。这种对准和曝光技术称为“直接书写式”( direct writing)。

   光刻胶的曝光图形分为光栅式和矢量式（见图10.7）。光栅式扫描是电子束从晶圆一边扫描到另一边然后向下。计算机控制方向和开关电子束。光栅式扫描的缺点是费时，因为电子束要扫描整个晶圆表面。而矢量式扫描曝光，电子束直接移到需要曝光的地方，在每一个需要曝光的地方，曝出一个个小的矩形或长方形，直到需要的图形光完成。

   因为没有r光列掩模版和光学系统的误差，电子束曝光的晶片有很好的对准和套准结果。目前使用的电子束曝光系统，能得到0.25 ym的分辨率一3。大规模使用电子束曝光系统存在速度和费用的问题。之所以速度慢，其中一个原因是在曝光反应室中产生和释放真空需要很长时间。