在14nm节点,由于FinFET鳍的宽度只有5nm左右,沟道宽度的变化可能会导致不良的V1以及驱动电流的变化等。HZICMT6622QFN40G采用全包围栅(Gate―Al⒈Around Rcctangular,GAAR)器件结构是FinFET器件的自然延伸Ll d5]。在这种结构中,栅极结构将鳍形沟道全部包裹起来,进一步改善了器件对短沟道效应的控制。然而由于I艺的限制,这些GAAR型器件的沟道多为长方体形状,不可避免的锐角效应使得矩形沟道截面中的电场仍然不均匀。更进一步的是采用圆柱体全包围栅(Gat∈Al⒈Around Cylindlical,GAAC)器件结构[16~Dl。在这种结构中,栅极结构将圆柱体沟道全部包裹起水,克服了锐角效应,进一步改善了器件对短沟道效应的控制。由于具各近乎完美的静电完整性,圆柱体全包围栅器件备受关注。给出CMC)S器件由二维平面结构向三维非平面结构的演进[12汛Ⅱ~0~l。⒛11年初,Intel公司在其22nmェ艺技术节点上首次推出了商品化的FinFET产品IvrBridgc[22Γ。其器件结构与早期Hisamoto的Delta FET及其相似,只是省略了局域化衬底绝缘隔离I艺,依旧采用阱隔离技术将沟道与体硅衬底隔离开来。环栅纳米线器件因其更优异的静电完整性和弹道输运特性,有望取代FinFET并应用在10nm以下节点。但由于PN结漏电问题,也将面临一些挑战。