晶体管的质量判别:拿到一个晶体三极管,应首先判断电极,具体做法是,先假定PG0271晶体管的任意引脚为基极,与万用表的红表笔或黑表笔接触,再用另一只表笔分别接触另外两个引脚,若测出两个较小的电阻值,则固定不变的表笔所接引脚即是基极。找到基极后,再比较基极与另外两个引脚之间正向电阻的大小,正向电阻值较大的电极为集电极,正向电阻值较小的电极为发射极。

   通过测量晶体管PN结的正、反向电阻值,还可判断出管子的材料和好坏。一般锗管PN结的正向电阻为⒛0~500Ω,反向电阻值应大于100kΩ;硅管PN结的正向电阻为3~15kΩ,反向电阻值应大于500kΩ。如果测得晶体管某个PN结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则可判断该管已击穿或开路损坏。识别引脚的目的不只是为了安装正确,更重要的是便于对管子性能进行检测。对管子性能的检测主要包括:晶体管反向击穿电流、放大能力和反向击穿电压的

检测。晶体管的反向击穿电流可通过测量管子发射极与集电极之间的电阻值来估测。测量时,将万用表置于R×1k挡,NPN型管的集电极接黑表笔,发射极接红表笔;PNP型管的集电极接红表笔,发射极接黑表笔。正常时,小、中功率锗管的电阻值一般大于10kΩ(用R×100挡测,电阻值大于2kΩ),大功率锗管的电阻值一般大于1.5kΩ(用R×10挡测)以上。硅管的电阻值应大于100kΩ(用R×10k挡测),实测值一般大于500kΩ。若测得C,E极之间的阻值偏小,则说明晶体管漏电流较大;若测得C,E极之间的阻值接近于0,则说明C,E极之间已击穿损坏;若测得C,E极之间的阻值随管壳温度的增高而变小,则说明该管的热稳定性较差。

    晶体管的放大能力可以用万用表衔E挡测得。测量时应首先将万用表置于ADJ挡调零后,再拨至/9FE挡,将被测管的C,B,E引脚(或引线)分别插入相应的测试孔,万用表即会直接指示出该管的放大倍数。

   反向击穿电压可使用晶体管直流参数测试表的V①⑷功能来检测。测量时,将各电极插入相应测试孔,按下相应的V①V键,即可从表中读出反向击穿电压值。