集电极最大允许电流
发布时间:2018/1/28 16:22:15 访问次数:4533
集电极最大允许电流:集电极最大允许电流rcM是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。 PD185885F201当晶体管的集电极电流Jt・超过Fc・M时,管子的'值等参数将发生明显变化,特性明显变差,轻者影响其正常工作,重者损坏管子。
最大反向击穿电压:最大反向击穿电压是指晶体管工作时所允许施加的最高电压,包括集电极一发射极反向击穿电压%:vα。、集电极一基极反向击穿电压I/t:幻c:。、发射极一基极反向击穿电压I/l:vE:。
集电极最大耗散功率PcM:集电极最大耗散功率PcM是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。使用三极管时,实际功耗不允许超过PcM值,否则会造成管子因过热而烧毁。所以,为了保证三极管的安全运用,通常还应留有一定的裕量。
反向饱和电流:晶体管的反向饱和电流包括集电极一基极之间的反向饱和电流rc:cl和集电极一发射极之间的反向击穿电流FcEc,。反向饱和电流对温度较敏感,其值越小,晶体管的温度稳定性越好。
频率特性:当晶体管应用于高频电路时,必须考虑频率特性参数。晶体管的频率特性参数主要包括特征频率为和最高振荡频率/.I等。
集电极最大允许电流:集电极最大允许电流rcM是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。 PD185885F201当晶体管的集电极电流Jt・超过Fc・M时,管子的'值等参数将发生明显变化,特性明显变差,轻者影响其正常工作,重者损坏管子。
最大反向击穿电压:最大反向击穿电压是指晶体管工作时所允许施加的最高电压,包括集电极一发射极反向击穿电压%:vα。、集电极一基极反向击穿电压I/t:幻c:。、发射极一基极反向击穿电压I/l:vE:。
集电极最大耗散功率PcM:集电极最大耗散功率PcM是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。使用三极管时,实际功耗不允许超过PcM值,否则会造成管子因过热而烧毁。所以,为了保证三极管的安全运用,通常还应留有一定的裕量。
反向饱和电流:晶体管的反向饱和电流包括集电极一基极之间的反向饱和电流rc:cl和集电极一发射极之间的反向击穿电流FcEc,。反向饱和电流对温度较敏感,其值越小,晶体管的温度稳定性越好。
频率特性:当晶体管应用于高频电路时,必须考虑频率特性参数。晶体管的频率特性参数主要包括特征频率为和最高振荡频率/.I等。