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MOs控制晶闸管

发布时间:2018/1/3 21:27:49 访问次数:918

   MOs控制晶闸管(MOs C0ntrollcd Thyristor,MCD是一种单极型和双极型结合而形成的复合器件,输入侧为MOsFET结构,因而输入阻抗高,驱动功率小, DA28F016SV-70工作频率高;而输出侧为晶闸管结构,能够承受高电压,通过大电流,这是一种很有发展前途的器件。

    MCT的结构与工作原理

   MCT是在晶闸管结构基础上叉制作了两只MOsFET,其中,用于控制MCT导通的那只MOSFET称为开通场效应晶体管(ON-FET),用于控制阻断的那只MOsFET称为关断场效应晶体管(oFF-FET)°根据开通场效应晶体管的沟道类型不同,可分为P-MCT和N-MCT两种。MCT采用多胞元集成工艺制成,一个MCT约含有10万个单细胞。图2.21所示为⒈MCT一个单细胞的等效电路及图形符号。

    


   MOs控制晶闸管(MOs C0ntrollcd Thyristor,MCD是一种单极型和双极型结合而形成的复合器件,输入侧为MOsFET结构,因而输入阻抗高,驱动功率小, DA28F016SV-70工作频率高;而输出侧为晶闸管结构,能够承受高电压,通过大电流,这是一种很有发展前途的器件。

    MCT的结构与工作原理

   MCT是在晶闸管结构基础上叉制作了两只MOsFET,其中,用于控制MCT导通的那只MOSFET称为开通场效应晶体管(ON-FET),用于控制阻断的那只MOsFET称为关断场效应晶体管(oFF-FET)°根据开通场效应晶体管的沟道类型不同,可分为P-MCT和N-MCT两种。MCT采用多胞元集成工艺制成,一个MCT约含有10万个单细胞。图2.21所示为⒈MCT一个单细胞的等效电路及图形符号。

    


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1-3MOs控制晶闸管
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