动态特性
发布时间:2018/1/2 21:18:30 访问次数:480
IGBT的动态特性包括导通过程和关断过程,如图2.19所示。
图219 1GBT的导通与关断过程 MIC2558BM
导通过程。
IGBT的导通过程与电力MOSFET的开通过程相类似,这是因为IGBT在导通过程中大部分时间是作为电力MOsFET运行的。导通时间由四部分组成:一段是从外施栅极脉冲¤‰由负到正跳变开始,到“栅一射”电压充电到I/T的时间(对应rl~气)的导通延迟时间兔。另一段是集电极电流从零开始,上升到90%稳态值的时间。
IGBT的动态特性包括导通过程和关断过程,如图2.19所示。
图219 1GBT的导通与关断过程 MIC2558BM
导通过程。
IGBT的导通过程与电力MOSFET的开通过程相类似,这是因为IGBT在导通过程中大部分时间是作为电力MOsFET运行的。导通时间由四部分组成:一段是从外施栅极脉冲¤‰由负到正跳变开始,到“栅一射”电压充电到I/T的时间(对应rl~气)的导通延迟时间兔。另一段是集电极电流从零开始,上升到90%稳态值的时间。
相关技术资料- 1-2动态特性
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