静态特性

   IGBT的静态特性主要包括转移特性和输出特性。

   (1)转移特性。MIC2557BM

   转移特性用来描述IGBT集电极电流圮与“栅一射”电压已℃E之间的关系,如图2,18(al所示。它与电力MOsFET的转移特性类似。开启电压戗珥thl是IGBT能实现电导调制而导通的最低“栅一射”电压。

  （2）输出特性。

   输出特性也称伏安特性,描述以“栅一射”电压为参变量时,集电极电流七与“集一射”极间电压%E之间的关系。

   IGBT的输出特性与GTR的输出特性类似,不同的是控制变量,IGBT的控制变量为“栅一射”电压%E,而GTR的控制变量为基极电流r:。IGBT的输出特性分为三个区域:正向阻断区、有源区和饱和区,如图2.18o)所示,与GTR的截止区、放大区和饱和区相对应。当IrcE(o时,IGBT为反向阻断状态。在电力电子电路中,IGBT在开关状态工作,在正向阻断区和饱和区之间转换。