图2.16所示为IGBT的结构剖面。由图可知,IGBT也是四层的三端器件,IGBT与电力MOSFET的结构非常相似,是在ⅤDMOsFET的基础上,增加了一层P+注入区,MIC2545A-1BM因而形成了一个大面积的P`+结J1,并由此引出集电极C,而其栅极G和发射极E则完全与电力场效应管的栅极和源极相似。IGBT相当于一个由MOsFET驱动的厚基区GTR,其等效电路及图形符号如图2.17所示。可见,IGBT是以MOsFET为驱动元件,GTR为主导元件的达林顿结构器件。图中的电阻RN是厚基区GTR内的调制电阻,Rs是体区电阻。图中器件的MOsFET为N沟道型,称为N沟道IGBT。相应的还有P沟道IGBT,其图形符号仅将箭头反向即可。

    IGBT的驱动原理与电力MOsFET基本相同,它是一种场控器件。其开通和关断是由栅极和发射极间的电压%E控制的,当已忆E为正且大于开启电压听时,MOsFET内形成导电沟道,其漏源电流作为内部GTR的基极电流,从而使IGBT导通。此时从/注入M区的空穴对N^区进行电导调制,减小了M区的电阻RN,使IGBT获得低导通压降。当栅极与发射极间不加信号或施加反向电压时,MOSFET内的导电沟道消失,GTR的基极电流被切断,IGBT随即关断。