绝缘栅双极型晶体管
发布时间:2018/1/2 21:12:00 访问次数:438
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBTl是⒛世纪80年代中期发展起来的一种新型器件。MIC2526-2BM它综合了电力晶体管(GTR)和场效应管(MOsFET)的优点,既有GTR耐高电压、电流大的特点,又兼有单极型电压驱动器件MOsFET输入阻抗高、驱动功率小等优点。目前在⒛ldIz及以下的中等容量变流装置中得到广泛应用,已取代了GTR和电力场效应管的一部分市场,成为中小功率电力电子设备的主导器件。近年来,开发的第三代、第四代IGBT可使装置的工作频率提高到50~100kHz,电压和电流容量进一步提高,大有全面取代全控型器件的趋势。
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBTl是⒛世纪80年代中期发展起来的一种新型器件。MIC2526-2BM它综合了电力晶体管(GTR)和场效应管(MOsFET)的优点,既有GTR耐高电压、电流大的特点,又兼有单极型电压驱动器件MOsFET输入阻抗高、驱动功率小等优点。目前在⒛ldIz及以下的中等容量变流装置中得到广泛应用,已取代了GTR和电力场效应管的一部分市场,成为中小功率电力电子设备的主导器件。近年来,开发的第三代、第四代IGBT可使装置的工作频率提高到50~100kHz,电压和电流容量进一步提高,大有全面取代全控型器件的趋势。
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