除了前面己经涉及的跨导glll、开启电压E/T、开通时间兔n及关断时间兔f之外,电力MOsFET还有以下主要参数。MIC2525-1BM

   1.漏源击穿电压BUDs

   漏源击穿电压B%s决定了电力MOsFET的最高工作电压,使用时,应注意结温的影响,结温每升高100℃,BI/Ds就增加10%。这与双极型器件sCR及GTR等随结温升高而耐压降低的特性恰好相反。

   2。漏极连续电流圮和漏极峰值电流圮M

   在器件内部温度不超过最高工作温度时,电力MOsFET允许通过的最大漏极连续电流和脉冲电流称为漏极连续电流JD和漏极峰值电流JDM。它们是电力MOsFET的电流额定参数。

   3.栅源击穿电压BuGs

   造成栅源极之间绝缘层被击穿的电压,称为“栅―源”击穿电压B%s。在“栅极一源极”之间的绝缘层很薄,%s>20V就将发生绝缘层击穿。

   4.极间电容

   电力MOsFET的三个电极之间分别存在极间电容%卜C协和C祗。一般生产厂家提供的是“漏极一源极”短路时的输入电容咣s、共源极输出电容C祆s和反馈电容Gss。它们之间有以下关系: 电力MOSFET不存在二次击穿问题,这是它的一个优点。 “漏一源”间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定了电力MOSFET的安全工作区。在实际使用中,应注意留有适当的裕量。