图2,15是电力MOsFET的开关特性的测试电路及其开关过程的波形。图2.15中,%为矩形脉冲电压信号源,Rs为信号源内阻,RG为栅极电阻(≥RO,RL为漏极负载电阻,漏极电流可在凡两端测得。

   图2,15 电力M0SFET的开关特性MIC2026-2BM

   由于器件内部存在输入电容Gn,因而cJp的前沿到来时,Gn有充电过程,栅极电压%s呈指数曲线上升。当乙忆s上升到开启电压Ifr时,漏极电流。开始出现。从trp前沿到圮出现的这段时间定义为导通延迟时间兔。Θ。此后,圮随乙钛的上升而上升,%s从开启电压I/T逐渐上升到使电力场效应管刚刚进入非饱和区的栅极电压%P,漏极电流。也达到稳态值,这一过程对应的时间称为上升时间卉。。稳态值的大小由漏极电源电压吮和漏极负载电阻RL决定,呒sP的大小与。的稳态值有关。%s在JJp的作用下继续上升,直至达到稳态。但此后。不再变化。电力MOSFET的导通时间气n为导通延迟时间与上升时间之和。