当漏极接电源正极,源极接电源负极, “栅极一源极”之间的电压为零或为负时,P型区和M型漂移区之间的PN结反向, “漏极一源极”之间无电流流过。 MIC2025-2BM如果在栅极和源极间加正向电压已%s,由于栅极是绝缘的,不会有电流。但栅极的正电压所形成的电场的感应作用却会将其下面的P型区中的少数载流子电子吸引到栅极下面的P型区表面。当%s大于某一电压值听时,栅极下面的P型区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型反转成N型,沟通了漏极和源极。此时,若在漏极之间加正向电压,则电子将从源极横向穿 过沟道,然后垂直(即纵向)流向漏极,形成漏极电流rD。电压饰称为开启电压,%s超过t/T越多,导电能力就越强,漏极电流rD也就越大。

   电力MOSFET的多元结构,使得每个MOsFET元的沟道长度大为缩短,而且使所有MOsFET元的沟道并联,这势必使沟道电阻大幅度减小,从而使得在同样的额定结温下,器件的通态电流大大提高。此外,沟道长度的缩短,使载流子的渡越时间减小;沟道的并联,允许更多的载流子同时渡越,使器件的开通时间缩短,提高了工作频率,改善了器件的性能。