电力场效应晶体管rPowCr Mos∏cld-Effcct Transistor,P-MOSFETl,是对功率小的一般MOsFET的工艺结构进行改进,在功率上有所突破,获得的单极性半导体器件,属于电压控制型,具有驱动功率小、控制线路简单、MIC10938P-50工作频率高的特点。

   电力MOSFET的结构与工作原理

   电力MOsFET的结构

   由电子技术基础可知,功率较小的普通场效应管(MOsFED的栅极G、源极s和漏极D位于芯片的同一侧,导电沟道平行于芯片表面,是横向导电器件,这种结构限制了它的电流容量。电力MOsFET采取了两次扩散工艺,并将漏极D移到芯片另一侧的表面上,使从漏极到源极的电流垂直于芯片表面流过,这样有利于减小芯片面积和提高电流密度。这种采用垂直导电方式的MOSFET称为VMOSFET。

   电力MOsFET的导电沟道也分为N沟道和P沟道两种,栅偏压为零时“漏极一源之间存在导电沟道的称为耗尽型;栅偏压大于零㈧沟道)才存在导电沟道的称为增强下面以N沟道增强型为例,说明电力MOsFET的结构。图2.12表示的是其结构和符电力MOsFET是多元集成结构,即一个器件由多个MOSFET元(件)组成。