当集电极电压%E逐渐增加到某一数值时,集电结的反向电流rc,急剧增加,出现击穿现象。MC79L05ACLP首次出现的击穿现象称为一次击穿,这种击穿是正常的雪崩击穿。这一击穿可用外接串联电阻的方法加以控制,只要适当限制晶体管的电流(或功耗),流过集电结的反向电流就不会太大,如果进入击穿区的时间不长,一般不会引起GTR的特性变坏。但是,一次击穿后,若继续增大偏压%E,而外接的限流电阻又不变,反向电流Fc将继续增大,此时,若GTR仍在工作,GTR将迅速出现大电流,并在极短的时间内,会使器件中出现明显的电流集中和过热点,且电流急剧增长,此现象便称为二次击穿。

   一旦发生二次击穿,轻者将使GTR电压降低、特性变差,重者会导致集电结和发射结熔通,使晶体管被永久性损坏。

   二次击穿最终是由于器件局部过热引起的,而热点形成需要能量的积累,即需要一定的电压、电流乘积和一定的时间。因此,诸如集电极电压、电流、负载特性,导通脉冲宽度,基极电路的配置,管芯材料及制造工艺等因素都对二次击穿有一定的影响。