选用半导体三极管时,一要符合设备及电路的要求,二要符合节约的原则。根H27U2G8F2CTR-BC据用途的不同,一般应考虑以下几个因素:工作频率、集电极电流、耗散功率、电流放大系数、反向击穿电压、稳定性及饱和压降等。这些因素具有相互制约的关系,在选用三极管时应抓住主要因素,兼顾次要因素。

   低频管的特征频率彡一般在2,5MHz以下,而高频管的/T从几十兆赫到几百兆赫甚至更高。选用三极管时应使/T为工作频率的3~10倍。原则上讲,高频管可以代换低频管,但是高频管的功率一般都比较小,动态范围窄,在代换时应注意功率条件。

   一般希望`值选大一些,但也不是越大越好。'值太高了容易引起自激振荡,而且一般'值高的管子工作多不稳定,受温度影响大。通常'值多选40~100。另外,对整个电路来说,还应该从各级的配合来选择'值。例如,前级用'值高的,后级就可以用`值较低的三极管;反之,前级用'值较低的,后级就可以用'值较高的三极管。

   集电极一发射极反向击穿电压%Ec,应选得大于电源电压。穿透电流越小,对温度的稳定性越好。普通硅管的稳定性比锗管好得多,但普通硅管的饱和压降比锗管大,在某些电路中会影响电路的性能,应根据电路的具体情况选用。选用晶体管的耗散功率时,应根据不同电路的要求留有一定的余量。

   对于高频放大、中频放大、振荡器等电路用的三极管,应选用特征频率/1高、极间电容较小的三极管,以保证在高频情况下仍有较高的功率增益和稳定性。