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半导体二极管的特性

发布时间:2017/12/14 21:07:43 访问次数:1334

   1)正向特性 MBRS340

   如图3-5-zI所示,当二极管两端加正向电压时,二极管导通。当正向电压很低时,电流很小,二极管呈现较大的电阻,这一区域称为死区。锗管的死区电压约为0.1V,导通电压约为0.3V;硅管的死区电压约为0.5V,导通电压约为0.7V。当外加电压超过死区电压后,二极管内阻变小,电流随着电压增加而迅速上升,这就是二极管的正常工作区。在正常工作区内,当电流增加时,管压降稍有增大,但压降很。

   2)反向特性

   如图3-5叫所示,当二极管两端加反向电压时,此时通过二极管的电流很小,且该电流不随反向电压的增加而变大,这个电流称为反向饱和电流。反向饱和电流受温度影响较大,温度每升高10℃,电流增加约1倍。在反向电压作用下,二极管呈现较大的电阻(反向电阻)。当反向电压增加到一定数值时,反向电流将急剧增大,这种现象称为反向击穿,这时的电压称为反向击穿电压。

     


   1)正向特性 MBRS340

   如图3-5-zI所示,当二极管两端加正向电压时,二极管导通。当正向电压很低时,电流很小,二极管呈现较大的电阻,这一区域称为死区。锗管的死区电压约为0.1V,导通电压约为0.3V;硅管的死区电压约为0.5V,导通电压约为0.7V。当外加电压超过死区电压后,二极管内阻变小,电流随着电压增加而迅速上升,这就是二极管的正常工作区。在正常工作区内,当电流增加时,管压降稍有增大,但压降很。

   2)反向特性

   如图3-5叫所示,当二极管两端加反向电压时,此时通过二极管的电流很小,且该电流不随反向电压的增加而变大,这个电流称为反向饱和电流。反向饱和电流受温度影响较大,温度每升高10℃,电流增加约1倍。在反向电压作用下,二极管呈现较大的电阻(反向电阻)。当反向电压增加到一定数值时,反向电流将急剧增大,这种现象称为反向击穿,这时的电压称为反向击穿电压。

     


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12-14半导体二极管的特性

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