化学气相淀积设备的仿真实验
发布时间:2017/12/5 21:18:08 访问次数:644
化学气相淀积是两集束型装备,两集束型装备是多集束型装备的最简单形式,如图5-13所示。LST策略也同样适用于两集束型装备。 NE5532P
图⒌13 化学气相淀积设备示意图
淀积是半导体制造过程中最常用的一种生成薄膜的加工工艺,生成的膜材料有二氧化硅、氮化硅、多晶硅等。薄膜制备的常见设备有物理气相淀积和化学气相淀积设备,后者的使用在半导体制造过程中更为多见。化学气相淀积是通过气体混合的化学反应在晶圆表面淀积一层固体薄膜的工艺。如图5-13所示的化学气相淀积设各是一个两集束型装.
化学气相淀积是两集束型装备,两集束型装备是多集束型装备的最简单形式,如图5-13所示。LST策略也同样适用于两集束型装备。 NE5532P
图⒌13 化学气相淀积设备示意图
淀积是半导体制造过程中最常用的一种生成薄膜的加工工艺,生成的膜材料有二氧化硅、氮化硅、多晶硅等。薄膜制备的常见设备有物理气相淀积和化学气相淀积设备,后者的使用在半导体制造过程中更为多见。化学气相淀积是通过气体混合的化学反应在晶圆表面淀积一层固体薄膜的工艺。如图5-13所示的化学气相淀积设各是一个两集束型装.
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