离子植入(|on|mp|antation) AAT3110IJS-5.0-T1

   离子植入是将掺质以离子形态植入半导体组件的特定区域上,以获得精确的电子特性。这些离子必须先被加速至具有足够的能量与速度,以穿透(植入)薄膜,到达预定的植入深度。离子植入制程可对植入区内的掺质浓度加以精密控制。该掺质浓度(剂量)基本上是由离子束电流(离子束内的总离子数)与扫描率(晶圆通过离子束的次数)来控制的,而离子植入的深度则由离子束能量的大小来决定。 ˉ

   电镀 (Electro plating)

   芯片的功能是靠其间各元器件的连接而实现的。通过电镀工艺,使得导电金属(通常是铝)淀积在晶圆表面,并且使用光刻和刻蚀制程去除没有用的金属,留下连接元器件间的电路金属。现在复杂的晶片都需要很多层绝缘体。―个正常运作的晶片需要连接数以百

万计的传导线路,包括同一层上的水平连接和各层之间的垂直连接。