光刻 (PhotO|ithography) AAT1100-T

   光刻技术是在一片平整的晶圆上构建半导体MOs管和电路的基础,这其中包含很多步骤与流程。首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶,随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩膜板照射在晶圆上。被照射的部分(如源区和漏L×)的光刻胶会发生变质,而

构筑栅区的地方不会被照射到,所以光刻胶会仍旧黏连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗晶圆,变质的光刻胶会被除去,露出下面的晶圆,而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。

   刻蚀 (Etching)

   刻蚀是使用化学反应或物理撞击作用将材料移除的技术。刻蚀技术可以分为湿刻蚀(Wct Etching)和干刻蚀(Dγ Etching)两类。湿刻蚀是使用化学溶液,经由化学反应达到刻蚀的目的。而干刻蚀通常是一种电浆刻蚀(PhsmaFd血g),其刻蚀作用可能是电浆中离子撞击芯片表面的物理作用,或者是电浆中活性自由基(RadiGal)与芯片表面原子间的化学反应,甚至也可能是这两者的复合作用。刻蚀结束后利用另一种称为去胶机的等离子体装置,用离子化的氧气将晶圆表面的光刻胶去除,紧接着用一种化学试剂彻底清洗晶圆。