电压斜坡(V-ramp)和电流斜坡(J-ramp)测量技术
发布时间:2017/11/17 22:05:21 访问次数:5915
电压斜坡(V-ramp)和电流斜坡(J-ramp)测量技术
在制造业环境中,TDDB测试太费时而不适合作为制程监控方法。电压斜坡测试(Ⅵrtamp),UDA1334ATS/N2是一种常用的测试方法,见图15,10。由0开始一直加大电压直到栅氧化层崩溃,对侦测缺陷的分布是一种很有效的方法,但不适合用做本质的分布(irlthn蚯c pc,puh"o11)测试。测试中使用的另一个氧化层监测方法是电流斜坡测试(Jframp)或Jxr测试,兀图15.11。在这个测试中,持续加大电流直到崩溃,J※r即为总击穿电荷密度。此测试对氧化层的品 质是很好的快速测试方法。
电压斜坡(V-ramp)和电流斜坡(J-ramp)测量技术
在制造业环境中,TDDB测试太费时而不适合作为制程监控方法。电压斜坡测试(Ⅵrtamp),UDA1334ATS/N2是一种常用的测试方法,见图15,10。由0开始一直加大电压直到栅氧化层崩溃,对侦测缺陷的分布是一种很有效的方法,但不适合用做本质的分布(irlthn蚯c pc,puh"o11)测试。测试中使用的另一个氧化层监测方法是电流斜坡测试(Jframp)或Jxr测试,兀图15.11。在这个测试中,持续加大电流直到崩溃,J※r即为总击穿电荷密度。此测试对氧化层的品 质是很好的快速测试方法。
上一篇：经时介电层击穿(TDDB)
上一篇：氧化层击穿寿命预测
相关技术资料- 11-17电压斜坡(V-ramp)和电流斜坡(J-ramp)测量技术
热门点击
- 电烙铁的功率与烙铁头温度对应关系
- 应力迁移
- 电压斜坡(V-ramp)和电流斜坡(J-ra
- 整流滤波后的电压值还会受到电网电压波动和负载
- oBIRCH/XIⅤA案例分析
- 金属钛湿法刻蚀
- 套刻精度一般由光刻机上移动平台的步进
- 片湿法刻蚀过程原理
- 直拉法制各的单晶硅,称为CZ硅
- OBIRCH雷射注入技术在90nm制程失效分
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
