OBIRCH雷射注入技术在90nm制程失效分析中的运用。以S←CCD探头为代表的光反射显微镜不能用来探测短路、P87C51RB+5A欧姆特性的缺陷;进入到O.35um~0・18r火m铝互连制程,由于工作电压降低,图形的密度越来越高以及功耗的减少,液晶技术对欧姆特性的缺陷应用已经变得不再有效,()BIRCH∷XIVA等雷射技术对先进的铝互连的欧姆特性缺陷变得非常普遍,也可以探测到接触不良的缺陷e图.10是日本HAMAMATSU公司的PHEM()s1000型EMMIⅡOBIRCH杉1台。

   接触孔缺陷类型的案例:对于金属层之问的接触孔缺陷类型的失效,这种失效常常表现为由于缺陷引起测试结构的阻值偏高,但又没有断开;对于0.35um~0・18um铝互连制程中的这类缺陷,OBIRCH雷射侦测技术一苴都非常实用;进人铜互连技术制程后,OBIRCH雷射侦测技术对这类缺陷的诊断同样实用。

   下面是一个失效的Via Chain结构,由1200个Via与上下层小段铜金属线组成链状的导线,结构的阻值比正常的高出10倍左右;正常阻值为0~100hm/Via范围,该失效结构测得的阻值为1000hm/Via左右。

   图14.11是OB1RCH侦测到的热点,测试条件为电压1V,测得电流15uA,热点在结构图形的边缘位置川司样,根据OBIRCH探测到热点位置,利用IB和TEM机台的物理分析手段找到引起Via Chain结构的阻值偏高的原因。