器件失效系指达不到预期的性能和规范的器件或正常I作的器件,经过一定时间的应力实验或使用后,SAA7111AHZ其电学特性参数或物理、化学性能降低到不能满足规定的要求。半导体器件失效分析(failure analysis)系指产品失效后,通过运用各种电学和物理测试,确定器件失效的形式(失效模式)、分析造成器件失效的物理和化学过程(失效机理)、寻找器件的失效原因,从而制订纠正和改善措施。

   失效分析通常需要了解失效模式、失效机理和失效原因三方面的工作内容:失效模式(failure mode)――器件失效的形式和现象,如“管脚开路”,漏电流超标,Vdl/Vd失效等。内存产品的Single Blt、Block、⒏t Llnc、Word I'ind失效。

   失效机理(hlure mechanism)――导致失效的实质原因,即引起器件失效的物理或化学过程,如金属互联的电迁移、腐蚀、通孔缺失、栅氧化层击穿及光罩缺陷等。失效原因(root cause)――失效机理发生的起因,如设计、机器参数(电压,气体流量,温度)漂移,封装参数设置(如bonding force)等。