在这一节中,提出了 SN74HC04PWLE一个基于模型的CMID1)FM模卫。这个模型用来检测铜浅池(∞pper pooling)缺陷和离焦缺陷。这种皋于模型的捡查能够用T筛奋出和周围环境高度敏感的版图,这类版图容易限制「艺窗凵囚丨nj导致流片失败.mj日.该CMP建模技术能够进行多层模拟,这样可以捕获不同层问相Tt作用导致的热点.这类热点不容易被皋于规则的方法所检测。

   采用这个方法,我们叮以借助丁腐蚀、蝶形凹陷、铜厚度波动来建立的DFM热点探测的DFM流程。一旦通过改变没汁修止i'热点,就可以避免铜的浅池缺陷以及降低离焦波动性。在这一节中,我们给出热点探测能够导致精确的「艺预测,同时早在模块设汁阶段就

可以修正热点。它也能够把铜的厚度变化和RC提取以及时序分析流程联系起来,这样就可以评估模块或者全芯片的性能的良率及时序情况。这个方法也已用于验证较早介绍的基于模型的冗余金属填充。