图13,11总结了MEE「随着热点两条不相容边缘之间的CD距离变化而变化的曲线。SAA7111AHZ这个图指出当CD距离小于100nm,就会产生OPC不相容边缘。而对于这种热点图形的距离上的约束条件就会成为DFM巾M1层进行光刻友好设计的准则。通过后OPC验证的热点MEEF分析,我们发现存在一些客户设计的关键层中存在着OPC不相容边界的图形。而且ΘPC不相容边界能通过计算OPC前和OPC后的MEEF检测出来。我们提出并验证了OP(l不相容边界图形的检测方法,这个方法被应用到实际的生产屮用来过滤掉那些来白后OPC验证的对工艺波动敏感的热点。随着积累检测到的OPC不相容边界热点图形到一个图形库中,一个采用图形搜索技术的快速图形筛选方法有可能应用到新的设计中,在进行ΘPC之前用来检测并修正OP(l不相容边界图形c现在提出的MEE分析方法可以很容易地用到其他的应用领域,例如,多种OPC比较、(FC热点修正验证、(,PC热点检测和掩模制造T艺的跟踪等。我们会把这个工作流程扩展到其他的应用巾去。这个MEEF分析方法。J以对一个已知热点做系统化的研究,同时在现有方法的基础L.采用另外一种方式建立D「M规则。这会使得DFM规则更加完备。