金属硅化物(salicide)使用在栅极、源极和漏极上,可有效降低MOs的串联电阻,并进一步增加MOS操作的速度。在Q。25um以上的制程是以Ti salicide为主,90n”以上的技术节点使用Co salicide,65nm以下则转成Ni salicidc。 R0600001R/H000GFA这些材料的转换主要是降低salicide阻值和减少在小线宽栅极上缺陷的双重考虑。

   多重连导线

  早期的芯片的运作速度是受MOS的速度的限制,然雨j随着M()S速度的提升和尺寸的缩小,金属导线间的交互影响(cou1)ling capacitancc)已开始大幅影响集成电路的速度(Fig),铜导线和低介电常数材料(low乃)的使用尽管已大幅降低金属导线制程的RC

delay,然而如何使用介电常数更低的材料(ultm―low虑)来减少其刈速度的影响也还是目前先进制程最重要的课题之一。多重连导线(Interc°nnect)对RC delay的影响如图12.4所示。