Cu CMP的过程和机理
发布时间:2017/11/11 17:42:11 访问次数:3980
Cu CMP的过程和机理Q113A-STS-E2
Cu CMP研磨△艺通常包括三步(见图11,12)。第―步用铜研磨液来磨掉晶圆表面的大部分铜;第二步通常也用相同的铜研磨液,但用较低的研磨速率精磨与阻挡层接触的铜,并通过终点侦测技术(Endpoint)使研磨停在阻挡层L;第三步是用阻挡层研磨液磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物,并用大量的去离子水(DIW)清洗研磨垫和品圆。
Cu CMP的过程和机理Q113A-STS-E2
Cu CMP研磨△艺通常包括三步(见图11,12)。第―步用铜研磨液来磨掉晶圆表面的大部分铜;第二步通常也用相同的铜研磨液,但用较低的研磨速率精磨与阻挡层接触的铜,并通过终点侦测技术(Endpoint)使研磨停在阻挡层L;第三步是用阻挡层研磨液磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物,并用大量的去离子水(DIW)清洗研磨垫和品圆。
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