⒛世纪90年代初期,光刻对平坦度日益迫切的要求,催生了化学机械平坦化(CMP)I艺,它开始被用于后端(BEOI')金属连线层间介质的平整,当时还是一个不被看好的丑小鸭。然而随着时光的流逝,Ⅱ小鸭却越来越显现出她独特的魅力。OP2177AR

   ⒛世纪90年代中期,浅槽隔离抛光(sTI CMP)在0.35um技术中被用于形成浅槽隔离,以取代原先的I'(rOs。钨抛光(W CMP)也在0.35um技术中以它高良率低缺陷的优势,取代了原先的反刻蚀(etch back)丁艺。到了21世纪初,铜抛光(Cu CMP)闪亮登场,使

0.13um后端铜制程变为现实。不过当时的Cu CMP相对简单,只要求研磨Cu、Ta和TE()S等材料。Cu CMP一直被延续使用到90nm、65nm,直到今天的45/32/28/22nm。抛光材料日益复杂,涉及低乃材料、AID阻挡层、Co、Ru等;抛光要求日益增高,它要求高均匀性、高平整度、低缺陷和低压力等。近年来,CMP技术在32/22nm技术形成高虑金属门的工艺中,叉有了新的用武之地,这也对CMP提出了更高的要求。另外,CMP也在PCRAM技术中,担当GST CMP的重任。诸如此类,新的CMP应用层出不穷。