PN结是在半导体底材上进行掺杂的区域,它是集成电路器件(如二极管和晶体管)的基本部件。PN结通常是通过离子注人,再经过高温的热处理将注入离子活化而形成的。 OCP8155

   随着电子器件尺寸的进一步缩小,又寸于器件的性能,如漏电流和开关速度等,PN结的质量和界面性质正扮演着越来越重要的角色。图10.1的场效应管示意图中,分别演示了源漏极(SD)及源漏扩展结构(SDE)所对应的PN结位置及深度。

   器件尺寸的缩小要求栅极尺寸按照一定的设计规则相应减小,而为了降低短沟道效应,源漏极的结深也要相应地缩小。器件尺寸缩小后,其本征 的I作电阻(Rαl=⒕d/rαl)降低了,这就要求源漏极的串联电阻(R屮Ⅱcs)也要相应地低至一定程度(对应器件工作电阻的一小部分)以满足器件性能需求。

    (M(,SFET)尺寸缩小后,从金属硅化物到源漏极的接触电阻愈加限制器件的性能。因此,控制掺杂离子/元素的浓度、分布轮廓、活化以及硅化物的形成,都是超浅结技术的关键组成部分,对器件的性能也有着重要的影响。近年来,在超浅结技术方面.我们看到了许多可喜的进展。在离子注入方面,大分子离子注入和低温离子注入技术的应用,可以得到更低的离子植人射程端缺陷和更好的非晶化效果,从而使注人离子有更好的活化效率。在热制程方面,毫秒级或亚毫秒级的退火I艺已经迅速地取代传统的热处理工艺或成为传统退火I艺的必要补充。