晶体管的输入阻抗大致为几十kQ，而FET的输入阻抗则为几

Mfl以上。 A4982SLPTR-T因此，FET具有输入阻抗非常高的特征，用于需要高输入阻抗的测量仪器或电容式话筒等输入部分的放大电路中。由于栅压的作用，FET还具有导通状态或截止状态的开关作用，因此用于计算机的逻辑电路中。

   场效应晶体管的主要参数

   (1)饱和漏电流IDSS

   当栅源间电压为零时，漏极电流的饱和值称为饱和漏电流。

   (2)栅源截止电压UGS

   使漏电流接近于零时，此时栅极上所加的偏压就称为栅源截止电压，此参数是对耗尽型而言。

   (3)夹断电压UP

   在结型场效应管或耗尽型绝缘栅管中，当栅源间反向偏压足够大时，沟道两边的耗尽层充分扩展，从而夹断沟道，此时的栅源电压称为夹断电压。

   (4)开启电压U．，

   在增强型绝缘栅场效应管中，使漏、源极间刚刚导通的最小电压称为开启电压。