如表9.2所示Ⅱ,它概述F DHF/HCl和稀HF对各种薄膜的刻蚀率和对高虍/金属栅兼容性的比较。DH「/HCl对Hf02的刻蚀,相对于其他材料有一个好的刻蚀选择性.尤其Si()2,这就是为什么DHF/HCl在I业界被普遍使用于高芡去除。 W158H

   表9.2 不同高凡/金属棚材料刻蚀率

   标准清洗液(S(11)被广泛应用在半导体制造中。对于金属栅(如Ti基或Ta基金属材料)的选择性刻蚀,SCl已是一个主要的刻蚀剂,因为相对于其他可能暴露的材料,如Hf02、Hsix()y、Si()2和⒏,它可提供一个极好的刻蚀选择性。还由于这样一个事实,Ti基材料相对于Ta基有一个较高的刻蚀率,囚此当Ti基和Ta基材料同时出现时,SC1也可用来选择性去除Ti基材料,如表9.3和表9.4所示。