直接在Si上沉积高乃介质会导致电子迁移率的降低,因此在Si和高虑介质问引人一个界面层,如⒏O2。这个界面层要求致密和均匀,便于高乃介质膜的生长。在高芡介质沉 W107DIP-5积之前,湿法生成一层化学氧化膜,是通用方法之一。为了获得sub nn1等同氧化物厚度(EOT),该自然氧化层厚度等于或小于0.8nm,也就是要求,一个制程可提供的白然氧化厚度低于饱和自然氧化层厚度(1.1~1,2nm)。以下是I业界一些不同研究方法:①dHF→SC1→SC2,②dHF/HCl一⒌)1→SC2,④dHF/HCl今03,①炉管氧化和dHF回刻蚀。在这些方法中,dHF/HC卜03可提供致密、均匀和高迁移率的化学氧化膜,如图9.15[3r所示。

   界面层厚度可由低浓度臭氧的Di()3(如1ppm)水制程时间控制L371。囚而,这种方法在学术界比较受重视。