随着CM()S的没计集成度增加,特征尺寸随之缩减,由于M()s源极和漏极的接合深度的减小,W107DIP-5会衍t短通道效应,解决办法是接合深度和金属硅化物厚度跟MOS管同时减小。

   钛与钴相比,因为材质的限制,钴金属硅化物可替代钛金属硅化物,显出低的电阻、薄的厚度和低的热处理温度。不同的是形成钴金属硅化物时,是钴原子进人硅内,而钛金属硅化物是硅进入钛。同样.没有参与反应的钴的去除是用⒊11和SPM。sC1首先去除TiN,着用SPM去除未反应的钴。还有一种混合酸(H2α)|+HAc+HNO3),也常用来做Co的去除。

    金属镍(Ni)和镍铂(NiPt)合金湿法刻蚀

   当逻辑CMOs制程推进到65nm或巧nm以下时.性能更好的Ni或NiPt义替代了t)o,以形成阻值更小、更薄浅接面的Ni或NiPt硅化物。一定量铂的加入,有利于浅接面的均匀性,阻止Ni在s中的快速扩散i阡j使栅极产生肩膀型的镍硅化物。没有反应的NiPt,一般用盐酸基体的水溶液去除:Ⅱ|,第一种是稀置水在85℃去除Pt,比例为3:1:4(37%HCl:7O%HN()∷:HJO)。反应如下:

   Pt+8HNO∷―ˉ9Pt(NO-)∶+1NO:+4H2()

   Pt(NOⅡ)1+6HC卜一,H2PtClⅡ+4HNO⒔

   总反应

   Pt△4HNΘ^+6HCl―→H∶Pttrl“+4No2+4H2()

    第二种是盐酸和双氧水的混合物,去除铂的效果也很好。反应如下:

    P1+2H,O,+6HCl―→H2PtC16+4∷H20但是,H()l为基体的刻蚀溶液,会严重地侵蚀Ni(Pt)Si或Ni(Pt)si(亠e,使金属硅化物阻值

升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯皋体,而且对Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe无伤害、对金属选择性叉高。这就是日前常用的高温硫酸和双氧水混合液,它的反应如下:

   Pt+H?s()}+H?02一Pt(ΘH)2 十Pt() +H2S()

   美国FsI公司报道,它的ZETA系列或附加ViPR功能,可通过预先加热不同比例SPM,使晶片温度高达200℃。而进一步研究表明,sPM在单一晶片机台上应用于15nm NiP1硅化物制程的清洗,器件无论在物理性能或电性方面都好于传统HCl基体液处理Ⅱ。