图8.58显示的是基于不定形碳掩膜多晶硅栅刻蚀的前馈控制示意图。由于最QT2032A2-ES终栅的CD是一个决定CMOS器件特性的关键参数,它的控制激发r21世纪初期APC的应用。在过去的十年中,APC在刻蚀领域在无干扰监测OCD的辅助下,已经扩展到浅槽隔离刻蚀、侧墙刻蚀和接触孔刻蚀。控制的日标包括CD、侧墙角度和深度。几乎所有的APC应用为了实用,都依赖于单输人单输出模式。后道工艺控制至少在65nmェ艺节点还没有开始,前馈控制的目的是克服输人的ADI CD变化或者任何其他的可探测的输人晶圆的不确定性。如图8.58所示,简单的线性关系可以通过以ADI CD变化和工艺时间为因素的标准试验设计的方法,在任何前四步中得到验证。这种线性关系可以作为控制算法嵌人到刻蚀机中,刻蚀机可以根据传来的ADI CD自动地优化刻蚀时间,ADI CD可以由独立的或者一体化的监测机台来提供。l'AM公司的导体刻蚀机从其⒏arT系列就已经具备了这样的功能。除了从ADI CD来的不确定性外,衬底变化的影响,像浅槽高度、AA宽度,也是不容忽 视的。衬底的不确定性引起了主刻蚀时间和过刻蚀步骤中刻蚀速率的变化,前者关系到终点曲线探测周期的变化,后者与多晶/氧化物界面的氧化有关。通过APC,这个问题可以部分地改进,因为浅槽隔离的高度可以在刻蚀前监测到,通过调节从主刻蚀到过刻蚀的T艺时间,便可以执行前馈刻蚀控制。由于主刻蚀和过刻蚀步骤的变化,这会导致侧壁角度的改变。