从90nm技术节点开始,应力引人载流子迁移率增强的各种技术已经逐渐地出现在CMOS制造中。 PHE450MB5330JR17T0如前面的章节所述.对于NMOS,SMT已经用来改善电子迁移率。对于PMOS,用在源/漏F×嵌入SiGe的方法,引人r局部压缩应变。应力近临技术(SPT)贝刂指的是自对准硅化物完成后,CESI'(接触孔刻蚀停止层)形成前的侧墙去除。已经证明了CESI' 接近度的增强和最大化的应力从CEsI'传递到沟道。除了迁移率的改善外,sPTL2s还扩大了后续层间介质间隙填充的工艺窗口。

   图8.55说明了两个典型的SPT I艺。在源/漏注人和退火时,侧墙不仅用来控制短沟效应,也用来使自对准硅化物和栅之问保持适当的距离,防止结漏电。在做sPT工艺时,NO侧墙的SiN区域被全部或者部分去除。在部分SPT中,剩余的siN层宽度是SP'Γ前宽度的30%~60%之问。去除量由集成的要求所决定。伞侧墙去除使得沟道和应力层的距离最短,然而它也使得栅到漏的距离最短。这有可能会增加寄枉电容(米勒电容),特别是在图形稠密之处。囚此,部分sPT是一个折中的解决方案。另外.部分和令sPT刻蚀都需要进行优化,以便将自对准硅化物的损伤减到最小.避免电阻增加。