总之,刻蚀气体对通孔/沟槽形状的影响在基于先通孔双大马士革技术中进行了评估。 M009T1不论是刻蚀通孔还是沟槽,富含聚合物的刻蚀气体被证明都会导致锥形形状。如果CD和深度可以被很好地控制,锥形形状应该是可以接受的。弧形沟槽形状通常来源于灰化I艺,不过低压的灰化T艺可以在某种程度上减弱这个问题。CF‘I'RM丁艺由于SiN对⒏O2低的选择性,可以导致顶部圆弧的形状。顶部圆弧形状会引起更差的VBD。缺乏聚合物的NF3I冫RM T艺则会带有侧向刻蚀的沟槽形状,从可靠性方面考虑,也需要避免。

   铝垫刻蚀

   作为芯片的连线材料,铝和铝合金「241已经广泛地用于以铜互连为逻辑后端工艺的制造工艺中。在65nm/90nm节点逻辑技术的下艺开发期间,专门设计的各种产品的图形密度差异,对刻蚀工艺开发提出了挑战。挑战主要来自图形密度变化引人的宏观的和微观的刻蚀负载。更具体地说,前者通常与后铝垫刻蚀中光刻胶不同的透射率(TR)腐蚀窗口有关,而后者与铝线(密)和铝垫(疏)之间的形貌负载相关。低透射率在刻蚀中常常产生更多的聚合物,这肯定会提供更多的聚合物来保护铝的侧壁,因而将避免可能的短路的腐蚀窗口扩大了。然而,较多的聚合物倾向于加重微负载效应,导致不同产品在可靠性方面连接电阻前后不一致。事实上,这是一个折中的工作,即在同一时间要解决宏观负载和微观负载效应的问题。