随着器件变得更小, M4A3-192/96-10VNC如果氯化物/氮化物(()N)隔离的器件与氮化物氮化物(N()N)隔离的器件相比的话,在有着同样的侧墙宽度的情况下,就sH'C(应力引人的漏电)和yJ移动来说,氧化物/氮化物(ON)显示出更好的可靠性,这些特性是山T氮化物和氧化物薄膜之间不同的机械应力造成的c另外,ON侧墙的丁艺集成很简单.()N侧墙的刻蚀通常是`{扌含氢的碳氟化合物气体来进行的,这包括CH⒎、tl HJ F?和C Il∷F。氮化物和氧化物的刻蚀速率高度依赖于所有等离子中氧气含量的百分比。氧气加人到刻蚀气体,使得等离子气相发生变化,特别是对氢浓度的改变。氧化物的刻蚀速率随着氧气的百分比的提高而下降,囚为CFk刻蚀剂减少r。氮化物的刻蚀速率与氢在等离子∠t相中的浓度有着密切的关系。氢叮以同CN反应生成HtlN,减少了氮化物表而聚合物的厚度.衬底上的氮原子去除得到了增强,因此氮化物的刻蚀速率随氢的浓度增加。结果是在引人最大的氢浓度和适量的氧浓度下,得到了氮化物和氧化物相比,相对高的选择性。在侧墙刻蚀屮,除F选择性控制外,预刻蚀和后刻蚀方案对解决CHkF、腔室记忆效应极具吸引力。如图8.2=1所显示的,这种记忆效应将导致侧墙顶部过多的损失以及多晶硅栅两侧的侧墙高度随机忤非对称。如果在侧墙刻蚀和湿法去胶间的等待时间比较κ,留在SiN L的CHI「i将腐蚀SiN薄膜。在预刻蚀方案中,N「→∷02被川来清洗腔室,以减小侧墙顶部的损失(图8.24A与图8,24B相比较)。而在后刻蚀屮,为了获得对称的侧墙高度,利用未偏置的OJ来缓和腔室记忆效应(矧8.24C勹图8.24D相比较)。