(1)它不需要基于先前的对使用照明条件、掩膜版图形优化的经验而制定的规则。它只需要用户给出所有关键地方的图形尺寸规格,以定义代价函数。O1.5440-VX3MH-LF

   (2)它不需要针对亚衍射散射条使用的规则,相反地,它可以白动产生亚衍射散射条,闪为整个掩膜版的每一个图形单元都被放在了优化之列。如果需要,亚衍射散射条会被白动合成。

  (3)这种方法也可以用于对照明条件的初始值给出优化的照明条件。其实,它也是一种照明一掩膜优化。

   逆光刻的几个案例如图7.100和图7.101展示L~l。

   图7,100 逆光刻比起传统的“照明条件优化十邻近效应修正”给一个15nm的同步随机存储器带来F更加大的能量宽裕度  .