对于正性光刻胶,一般我们会得到显影溶解速率随照明光强的变化如图7.8所示。 UC2844D8

   其中9R为显影速率,ε为曝光能量。其中E∴i为完全显影对应的能量(dose to de【ar),也就是把一定厚度的光刻胶.对一个给定的烘焙和显影程序完全溶解和清洗干净所需要的曝光能量。通常这个能量比曝光能量要低一些。在光刻T艺仿真上,由于当今的深紫外化学增幅的光刻胶的对比度都很高,我们可以近似将图7,84中的曲线近似为阶跃函数,也就是光刻仿真中的阈值模型(threshold modcl)的由来,当然,我们还需要对空间像做一阶高斯扩散,或者卷积,如式(748)、式(758)、式(770),然后再取阈值,有关如何将光刻胶的显影过程融人光刻工艺仿真和光刻胶显影过程的进一步描述,请参考文献[4司。